白光3D輪廓測量儀適配晶片製造生產線↟│•₪，助力半導體行業發展

近年來↟│•₪，面對持續高漲的晶片需求↟│•₪，半導體行業生產迎來了高難度挑戰——對晶片工藝要求更精細↟│•₪，從5nm到3nm↟│•₪，甚至是2nm•☁│。“先進封裝"的提出↟│•₪，是對技術的新要求↟│•₪，也是對封裝工藝中材料和裝置的全新考驗•☁│。

晶片身上布控著幾千萬根電晶體↟│•₪，而電晶體越小↟│•₪，可放置的電晶體越多↟│•₪，效能也將越高•☁│。晶片的進化就是電晶體變小的過程•☁│。電晶體密度更大↟☁▩·、佔用空間更少↟☁▩·、效能更高↟☁▩·、功率更低↟│•₪，但挑戰也越來越難以克服•☁│。小尺寸下↟│•₪，晶片物理瓶頸越來越難以克服•☁│。尤其在近幾年↟│•₪，先進節點走向10nm↟☁▩·、7nm↟☁▩·、5nm......白光3D輪廓測量儀適配晶片製造生產線↟│•₪，致力於滿足時下半導體封裝中晶圓減薄厚度↟☁▩·、晶圓粗糙度↟☁▩·、鐳射切割後槽深槽寬的測量需求↟│•₪，助力半導體行業發展•☁│。

W1白光3D輪廓測量儀X/Y方向標準行程為140*100mm↟│•₪，滿足晶圓表面大範圍多區域的粗糙度自動化檢測↟☁▩·、鐳射槽深寬尺寸↟☁▩·、鍍膜臺階高↟☁▩·、彈坑等微奈米級別精度的測量•☁│。

臺階高精確度☁╃✘：0.3%

臺階高重複性☁╃✘：0.08 % 1σ

縱向解析度☁╃✘：0.1nm

RMS重複性☁╃✘：0.005nm

橫向解析度（0.5λ/NA）☁╃✘：0.5um~3.7um

特點☁╃✘：粗糙度測量↟☁▩·、彈坑測量↟☁▩·、測量尺寸6英寸以下•☁│。

W3白光3D輪廓測量儀X/Y方向標準行程為300*300mm↟│•₪，超大規格平面↟☁▩·、相容型12英寸真空吸附盤能檢測12寸及以下尺寸的Wafer；氣浮隔振設計&吸音材質隔離設計↟│•₪，確保儀器在千級車間能有效濾除地面和聲波的振動干擾↟│•₪，穩定工作；自動化測量半導體晶圓•☁│。

半導體領域專項功能

1.同步支援6↟☁▩·、8↟☁▩·、12英寸三種規格的晶圓片測量↟│•₪，一鍵即可實現三種規格的真空吸盤的自動切換以配適不同尺寸晶圓；

2.具備研磨供以後減薄片的粗糙度自動測量功能↟│•₪，一鍵可測量數十個小區域的粗糙度求取均值；

3.具備劃片工藝中鐳射鐳射開槽後的槽道深寬輪廓資料測量功能↟│•₪，可以一鍵實現槽道深寬相關的面和多條剖面線的資料測量與分析；

4.具備晶圓製造工藝中鍍膜臺階高度的測量↟│•₪，覆蓋從1nm~1mm的測量範圍↟│•₪，實現高精度測量•☁│。

W3白光3D輪廓測量儀測量12英寸矽晶圓