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白光3D輪廓測量儀適配晶片製造生產線↟│•₪,助力半導體行業發展

釋出時間☁╃✘:2022-12-19      點選次數☁╃✘:262

近年來↟│•₪,面對持續高漲的晶片需求↟│•₪,半導體行業生產迎來了高難度挑戰——對晶片工藝要求更精細↟│•₪,從5nm到3nm↟│•₪,甚至是2nm•☁│。“先進封裝"的提出↟│•₪,是對技術的新要求↟│•₪,也是對封裝工藝中材料和裝置的全新考驗•☁│。


晶片身上布控著幾千萬根電晶體↟│•₪,而電晶體越小↟│•₪,可放置的電晶體越多↟│•₪,效能也將越高•☁│。晶片的進化就是電晶體變小的過程•☁│。電晶體密度更大↟☁▩·、佔用空間更少↟☁▩·、效能更高↟☁▩·、功率更低↟│•₪,但挑戰也越來越難以克服•☁│。小尺寸下↟│•₪,晶片物理瓶頸越來越難以克服•☁│。尤其在近幾年↟│•₪,先進節點走向10nm↟☁▩·、7nm↟☁▩·、5nm......白光3D輪廓測量儀適配晶片製造生產線↟│•₪,致力於滿足時下半導體封裝中晶圓減薄厚度↟☁▩·、晶圓粗糙度↟☁▩·、鐳射切割後槽深槽寬的測量需求↟│•₪,助力半導體行業發展•☁│。


W1白光3D輪廓測量儀X/Y方向標準行程為140*100mm↟│•₪,滿足晶圓表面大範圍多區域的粗糙度自動化檢測↟☁▩·、鐳射槽深寬尺寸↟☁▩·、鍍膜臺階高↟☁▩·、彈坑等微奈米級別精度的測量•☁│。

臺階高精確度☁╃✘:0.3%

臺階高重複性☁╃✘:0.08 % 1σ

縱向解析度☁╃✘:0.1nm

RMS重複性☁╃✘:0.005nm

橫向解析度(0.5λ/NA)☁╃✘:0.5um~3.7um

特點☁╃✘:粗糙度測量↟☁▩·、彈坑測量↟☁▩·、測量尺寸6英寸以下•☁│。


W3白光3D輪廓測量儀X/Y方向標準行程為300*300mm↟│•₪,超大規格平面↟☁▩·、相容型12英寸真空吸附盤能檢測12寸及以下尺寸的Wafer;氣浮隔振設計&吸音材質隔離設計↟│•₪,確保儀器在千級車間能有效濾除地面和聲波的振動干擾↟│•₪,穩定工作;自動化測量半導體晶圓•☁│。


半導體領域專項功能

1.同步支援6↟☁▩·、8↟☁▩·、12英寸三種規格的晶圓片測量↟│•₪,一鍵即可實現三種規格的真空吸盤的自動切換以配適不同尺寸晶圓;

2.具備研磨供以後減薄片的粗糙度自動測量功能↟│•₪,一鍵可測量數十個小區域的粗糙度求取均值;

3.具備劃片工藝中鐳射鐳射開槽後的槽道深寬輪廓資料測量功能↟│•₪,可以一鍵實現槽道深寬相關的面和多條剖面線的資料測量與分析;

4.具備晶圓製造工藝中鍍膜臺階高度的測量↟│•₪,覆蓋從1nm~1mm的測量範圍↟│•₪,實現高精度測量•☁│。


W3白光3D輪廓測量儀測量12英寸矽晶圓



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